时间：2021-06-10
博电科技应邀参会
5月14日，初夏时节，“首届碳化硅半导体产业链与应用技术研讨会暨产业链技术产品对接会”在北京隆重举行。博电科技技术委员会杜科博士、功率研发部经理任志军等技术人员应邀出席此次研讨会。
本届研讨会由中国电力电子产业网、北京电力电子学会、上海SiC功率器件工程与技术研究中心、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室联合主办。一百二十余位碳化硅（SiC）半导体产业链相关产学研单位的专家和企业家齐聚一堂，推进碳化硅半导体产业链的进步与产业化发展。
▲会议现场
▲大连理工学院王德君教授发表以《SiCMOS栅氧界面缺陷与器件性能稳定性》为题的主题演讲
与会专家莅临参观
会议当天下午，大连理工学院王德君教授莅临博电科技，实地参观了博电科技面向功率半导体领域的测试设备。
▲合影留念
功率研发部经理任志军向王教授详细介绍了博电科技自主创新的功率半导体检测平台。王教授对博电自主创新、引领行业的优秀产品给以极大的赞赏。
▲功率研发部经理任志军向王教授介绍IGBT静态参数测试平台
功率半导体测试解决方案
博电科技长期跟踪国内外前沿技术，以自身成熟的智能电力电子检测设备为基础，根据自身在测试仪器领域的技术优势，为用户提供专业的功率半导体测试系统解决方案。
在功率半导体测试领域，博电科技推出以高速高频、高压、大电流功率源为基础、并结合高速高精度的高压、大电流模拟采集技术及高速数字处理控制系统的智能测试平台。该平台根据不同需求可完成各类功率半导体器件、模块、芯片的动态参数、静态参数，热力参数及力学参数，功率寿命参数测试；是国内相关研制生产单位的研发测试、工程验收、出厂测试等领域进行自动测试的检测平台。
